应答器线性调制负电子亲和势凯发K8旗舰厅(中国)官方网衰落信道砷化镓族群虽一度因美国封杀中兴通讯事件而跌宕起伏，但需求一直存在、且更胜以往，随着厂家良率提升，获利可望逐渐进入高成长期。美国封杀中兴通讯，日前川普态度又大转弯，表示已指示商务部帮助中兴通讯尽快恢复业务，全球砷化镓大厂股价也跟着跌宕起伏，然不管政治力如何介入冲击，物联网、５Ｇ时代来临，各项光通讯组件需求一直存在，需求量甚至更胜以往， 今年一○○Ｇ规模将逐季成长取代四○Ｇ成为主要规格之一，５Ｇ应用也将逐渐开展，车用也加入新需求阵容，愈到下半年，需求愈是明显，今年起，砷化镓产业将是投资人不容忽视的明星产业。去年因３Ｄ感测而声名大噪的砷化镓产业，一度因iPhone X销售不佳而沈寂，然事实上，砷化镓终端的产品应用相当广，甚至扩大来看，砷化镓只是三五族化合物半导体中的一环，其他化合物还包括磷化铟、锑化镓等，依据特性的不同， 应用的领域也不同。其中，最广泛应用在通讯产品上的，就是砷化镓材料，这类材料具有高频、低噪声、高效率及低耗电的特性，也因此多用于光电和高频通讯用组件，包括手机、光纤通讯、卫星通讯等微波通讯上，过去几年，国内稳懋、宏捷科、全新等厂， 都因为手机用ＰＡ组件需求而提高能见度。然而，手机在整个砷化镓材料中，算是相对低端的应用，更多是应用在光通讯数据中心、国防、汽车防撞雷达等利基高端领域，就连去年苹果iPhone X采用３Ｄ感测功能而爆红的面射型雷射（VCSEL），也是VCSEL众多应用中， 相对低端的一环，但手机等消费性电子产品的使用量大增，让有跨入VCSEL砷化镓族群红极一时，然据了解，从VCSEL磊芯片到晶圆代工、封装的直通率仍偏低，加上成本高，都让３Ｄ感测的推进面临小小的逆风，整个供应链中， 目前实际能因３Ｄ感测而受惠的厂家并不多，稳懋当然是其中代表。追本溯源，VCSEL整体制程的直通率偏低，还是和最上游的磊芯片生产推进有关。 三五族半导体的磊晶的制程技术主要有三种，包括LPE、MBE及MOCVD等，LPE虽传统且较简单，但对于较薄磊晶的长成上，LPE较难掌握；MBE的生产技术较为成熟，良率较容易提升，但生产成本偏高，几家磊晶厂中， IET-KY主采此制程，Finisar也在此制程上和IET合作；MOCVD制程技术困难度高，但具有成本低的优势，可以广泛应用在手机，包括IQE、全新、联亚都是采用此制程。 （全文未完）

　　互补式金属氧化物半导体射频(CMOS RF)方案将乘物联网之势快步崛起。为加速物联网装置和应用普及，业界正积极研发成本低至1美元的无线感测网路节点(WSN)，引发系统关键零组件大幅降价的需求；对此，RF晶片商正酝酿以CMOS制程取代传统砷化镓(GaAs)方案，以缩减一半以上晶片成本，实现超低价WSN。 RFaxis全球销售副总裁Raymond Biagan表示，物联网须透过大量WSN，才能实现数以百亿计的装置互连，因此相关业者对WSN系统中关键的RF元件成本格外重视，并将其视为加速物联网装置普及的重要触媒。随着RF成本压力遽增，晶片商也开始从较昂贵的砷化镓制程，转向标准化、价格亲民的矽锗(SiGe)和CMOS RF方

　　新日本无线(总部:東京都中央区社长 平田一雄) 现开发完成了GaAs MMIC NJG1139UA2，并已开始供货了。该产品是设有旁通电路的宽带低噪音放大器，最适合于便携式数字电视。 【开发背景】 近年来，随着便携式设备和汽车导航仪等可接收地面数字广播的产品越来越多，为了提高终端的接收灵敏度、市场需求具有高增益/高线性度/低噪音指数的低噪音放大器(以后称作LNA)。为了适应市场的要求，新日本无线是在此之上采用了小型化封装，减少了外部元件，并为了更加容易使用而开发的用于地面数字广播的宽带LNA GaAs MMI

　　GaAs光电阴极是一种负电子亲和势光电阴极，具有量子效率高、发射电子能量和角度分布集中的优点，因而在微光像增强器、半导体敏感器件、自旋极化电子源等众多领域得到了广泛的应用，但GaAs光电阴极的制备过程却极为复杂，对制备工艺和条件都有严格要求。目前GaAs光电阴极的制备都主要依赖熟练操作人员进行手工操作，这种操作方式不尽浪费大量人力物力，而且制备质量和效率得不到保证。而在制备过程中普遍采用的在线光谱响应测试仪，只能用于阴极制备后的光谱响应曲线测试，评估阴极的制备质量，它对阴极制备过程中的许多其它信息量，如真空度、铯源和氧源电流等，都没有实时采集功能，更没有对铯(氧)源电流的计算机控制和制备过程的自动化，从而大大的制约了我国GaAs

　　近日在德国慕尼黑举行的微波周上，美国代工服务提供商Jazz半导体公司宣布其0.18微米平台开始供货。该公司表示，利用这种平台，客户能够把整个RF前端集成到它们的芯片之中，取消了昂贵的独立GaAs前端。 Jazz公司的销售和市场副总裁Chuck Fox解释道，该平台包括一种增强的RF CMOS工艺、一种BiCMOS DMOS高压工艺和一种SiGe BiCMOS高性能工艺。此外，该公司提供四种可选的硅射频模块，其中，采用了SOI封装、集成无源器件、SiGe LNA工艺技术、LDMOS和SiGe PA技术。因为在模拟RF环境的细节支持是至关重要的，Jazz半导体提供这种支持。对于各自的设计工具，Jazz与Cadence保持密切的合

　　11月24日，据台湾媒体报道，中国台湾目前最大、全球产能排行第三的砷化镓晶圆厂稳懋，今年在市场需求大增下获利丰厚，2009年第三季度盈利接近3亿元新台币，并可望维持此种高利润趋势。公司内部预估全年营收可达48亿新台币，较去年增长3成。 受3G和智能手机需求增长，砷化镓用量大增 砷化镓主要应用于射频通讯元件，主要产品包括功率放大器(PA)、射频开关(RF Switch)等。稳懋微波事业群总经理王郁琦指出，在2G手机上，仅使用1～2颗功率放大器与射频开关器，但3G、智能手机用量提高至4～6颗，因此市场需求大增，导致砷化镓今年产品紧缺，价格上涨。 陈进财坦言，今年全球手机销售约13亿支，比去年增加1亿支

　　6月6日，据北京监管局披露，海通证券发布关于北京通美晶体技术股份有限公司（简称“通美晶体”）首次公开发行股票并在科创板上市之辅导基本情况表。 据披露，海通证券和通美晶体于2021年4月签署《北京通美晶体技术股份有限公司与海通证券股份有限公司首次公开发行股票并上市辅导协议》，通美晶体拟首次公开发行股票并在科创板上市。 资料显示，北京通美晶体技术有限公司创建于1998年9月，位于北京市通州工业开发区，注册资金3000余万美元，占地近5万平方米，是位于美国加州的美国晶体技术有限公司（AXT, Inc.）独资拥有的外资企业。公司主要从事包括砷化镓、磷化铟等在内的Ⅲ-Ⅴ族化合物及单晶锗半导体衬底材料的制造，产品主要应用于无线光纤通讯

　　衬底厂商通美晶体拟科创板IPO，已开始上市辅导 /

　　市场调研机构Strategy Analytics认为，光电池将会是GaAs衬底(GaAs bulk substrates)供应商下一个增长最迅速、前途最光明的销售市场。 这家市场调研机构认为，光电池市场对半导电GaAs衬底的潜在需求从2008年到2012年有可能将以79%的复合年均增长率攀升，在GaAs衬底总需求量中所占的份额将超过20%。 Strategy Analytics认为，LED在短时间内仍将是SC GaAs衬底的最大销售市场，占GaAs衬底总需求量的39%。 总体来说，到2012 年SC GaAs衬底零售市场的复合年均增长率将望达到7%。 “Mitsubishi Chemic

　　Strategy Analytics砷化镓和化合物半导体技术服务(GaAs)发布最新研究报告《砷发镓行业预测：2012-2017》指出，2012年收盘势头强劲使得 砷化镓 器件市场小幅增长并刷新当年收益记录。整体市场约增长2%，以略高于53亿美元的收益收盘。增长主要来自蜂窝部分，而 砷化镓 器件大多其他部分持平或下跌。报告预测未来两年该市场增长高于平均水平，市场对蜂窝部分的需求放缓导致其增速低于史上平均水平。这些趋势导致的结果是2017年市场规模将略低于61亿美元。 Strategy Analytics砷化镓和化合物半导体技术服务(GaAs)总监Eric Higham谈到：“2012年 砷化镓 器件市场收盘增长强劲，我们认

　　模拟电子技术 第2版 (（美）Robert L.Boylestad，（美）Louis Nashelsky著)

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